Grubus silicio karbidas
video

Grubus silicio karbidas

Grubus silicio karbidas yra sudėtinė puslaidininkinė medžiaga, sudaryta iš silicio (Si) ir anglies (C). Jis turi labai stiprų ryšį ir yra termiškai, chemiškai ir mechaniškai stabilus.
Siųsti užklausą
produkto pristatymas

Silicio karbidas 100 Grit Aprašymas

Trečiosios-kartos puslaidininkiniai didelės-galios galios elektroniniai įrenginiai, atstovaujami SiC, yra vienas greičiausiai augančių galios puslaidininkinių įrenginių galios elektronikos srityje.

 

Silicio karbidas, kaip tipiškas trečiosios kartos puslaidininkinių medžiagų atstovas, taip pat brandžiausia kristalų gamybos technologija ir prietaisų gamybos lygis, viena iš plačiausiai naudojamų plataus dažnių juostos pločio puslaidininkinių medžiagų, suformavo pasaulinę medžiagų, prietaisų ir taikomųjų programų pramonės grandinę. Tai ideali puslaidininkinė medžiaga, skirta aukštai-temperatūrai, aukštam-dažniui, spinduliuotei-atspariam ir didelės{4}}galios naudojimui.

 

 

 

 

Silicio karbido gaminių specifikacijos

Silicio karbido produktų tiekėjai{0}}„ZhenAn International“.

 

 

TIPINĖ CHEMINĖ ANALIZĖ
SiC 99.05%
SiO2 0.20%
F, Si 0.03%
Fe2O3 0.10%
F.C 0.04%
TIPINĖS FIZINĖS SAVYBĖS
Kietumas: Mosas: 9,5
Lydymosi temperatūra: Sublimuoja 2600 laipsnių
Maksimali eksploatavimo temperatūra: 1900 laipsnių
Savitasis sunkumas: 3,2 g/cm³
Tūrinis tankis (LPD): 1,2-1,6 g/cm3
Spalva: Žalia
Dalelių forma: Šešiakampis

 

Silicio karbido 100 grūdelių gamintojas-„ZhenAn International“.

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

 

SiC miltelių tiekėjas{0}}ZhenAn

 SiC Powder supplier-ZhenAn

 

Mechaninės savybės:didelis kietumas (Kjeldahl kietumas 3000kg/mm²), gali pjauti rubiną; didelis atsparumas dilimui, antras po deimantų.

 

Šiluminės savybės:šilumos laidumas viršija metalinio vario, 3 kartus didesnis už Si ir 8–10 kartų didesnis už GaAs, geras šilumos išsklaidymo koeficientas, labai svarbus didelės galios įrenginiams.

 

Cheminės savybės:atsparumas korozijai yra labai stiprus, kambario temperatūroje gali atsispirti beveik visoms žinomoms korozinėms medžiagoms. Lengvas SiC paviršiaus oksidavimas, kad susidarytų plonas SiO2 sluoksnis, gali užkirsti kelią tolesniam jo oksidavimui aukštesnėje nei 1700 laipsnių temperatūroje, šis oksido plėvelės sluoksnis tirpsta ir greita oksidacijos reakcija. SiC gali būti ištirpintas išlydytoje oksiduojančioje medžiagoje.

 

Elektrinės savybės:4H-SiC ir 6H-SiC juostos tarpas yra maždaug 3 kartus didesnis nei Si, 2 kartus didesnis nei GaAs; jo skilimo elektrinio lauko stipris yra viena eile didesnis nei Si, o soties elektronų dreifo greitis yra 2,5 karto didesnis nei Si. 4H-SiC juostos tarpas yra didesnis nei 6H-SiC.

 

36 Grit Silicon Carbide Kliento apsilankymo nuotraukos

36 Grit Silicon Carbide Customer visit photos

 

DUK

 

 

Klausimas: Ar dėl kainos galima derėtis?

A: Taip, nedvejodami susisiekite su mumis bet kuriuo metu, jei turite klausimų. O klientams, kurie nori išplėsti rinką, mes padarysime viską, kad juos paremtume.

Kl .: Ar galite pateikti nemokamų pavyzdžių?

A: Taip, mes galime pateikti klientams nemokamus pavyzdžius, kad jie galėtų patikrinti kokybę arba atlikti chemines analizes, tačiau pasakykite mums išsamius reikalavimus, kad galėtume paruošti tinkamus mėginius.

Kl .: Kada galite pristatyti prekes?

A: Paprastai mes galime pristatyti prekes per 15-20 dienų po to, kai gausime išankstinį mokėjimą arba originalų L / C.

Kl.: Ar galite pateikti SGS arba kitos trečiosios šalies patikrinimo{0}}suteiktą bandymo ataskaitą?

A: Taip, galime, jei klientai paprašys trečiosios šalies{0}}bandymo ataskaitų.

Nuoširdžiai tikimės būti jūsų partneriu, kviečiame naujus ir senus klientus apsilankyti vadove bei įvairių formų prekybinio bendradarbiavimo pokalbiuose!

Populiarus Žymos: šiurkštus silicio karbidas, Kinijos šiurkščiavilnių silicio karbido gamintojai, tiekėjai, gamykla

Siųsti užklausą

Namuose

Telefono

El. paštas

Tyrimo